Projectie afdrukken
Net als bij filmfotografie wordt door het indrukken van de ontspanknop door de lens licht op de film geprojecteerd en belicht. Daarna wordt het beeld verkregen door de film door middel van "photowashing" in een ontwikkeloplossing te laten weken. Projectielithografie is de reguliere lithografietechnologie voor geïntegreerde schakelingen vanwege het hoge rendement en de niet-destructieve voordelen ervan.
3a. Scannen van projectafdrukken
Het onderzoek begon eind jaren zeventig en begin jaren tachtig. De grootte van het masker en het patroon in deze lithografiemachine is 1:1, wat betekent dat de grootte op het masker hetzelfde is als de grootte van het patroon op de fotoresist. De reden waarom het scannen wordt genoemd, is omdat licht door een smalle spleet op het substraat wordt doorgelaten, waardoor meestal meerdere lijnen tegelijk zichtbaar worden. Het substraat moet worden verplaatst om alle gebieden bloot te stellen aan lichtenergie.
Kenmerken: Procesknooppunten variëren van 180 nm tot 130 nm, maskerplaatverhouding van 1:1, belichting op volledige- grootte.
3b. Stepping herhalend projectafdrukken (ook bekend als Stepper)
Het onderzoek begon eind jaren tachtig en negentig, waarbij gebruik werd gemaakt van een lenzensysteem om patronen van een masker één voor één over een klein gebied op een substraat te projecteren. Na elke belichting van een klein gebied zal het substraat naar de volgende positie bewegen totdat het gehele substraat belicht is. Een blootgesteld gebied is een 'schot'. Omdat het door een lenzensysteem wordt geprojecteerd, wordt bij gebruik van 365 nm ultraviolet licht doorgaans een 5-voudige plaat gebruikt, wat betekent dat de grootte van het patroon op de maskerplaat 5 keer zo groot is als de werkelijke fotoresist. Daarom kunnen complexere patronen op de maskerplaat worden ontworpen, maar dit vergroot de moeilijkheid bij het vervaardigen van het prismasysteem.
3c. Scanstap Projectafdrukken (ook bekend als scanner)
Sinds het einde van de jaren negentig wordt dit type machine over het algemeen gebruikt in de hoogwaardige halfgeleiderproductie voor processen met een diameter kleiner dan of gelijk aan 0,18 μm. Tijdens het belichtingsproces beweegt het masker in één richting, terwijl de wafer synchroon beweegt in een richting loodrecht daarop.
Kenmerken: Verhoogd gezichtsveld voor elke belichting; Zorg voor compensatie voor een oneffen oppervlak van siliciumwafels; Verbeter de uniformiteit van de grootte van de gehele siliciumwafel. Vanwege de noodzaak van omgekeerde beweging worden de nauwkeurigheidseisen van het mechanische systeem echter verhoogd. Scanners hebben doorgaans een hogere productie-efficiëntie dan andere belichtingsmachines, en hun ontwerp en productie zijn zeer complex. Ook de aanschaf- en onderhoudskosten van scanners zijn hoog.
Dubbel{0}}zijdige lithografie met hoge precisie
Wordt voornamelijk gebruikt voor het onderzoek en de productie van kleine en middelgrote-geïntegreerde schakelingen, halfgeleidercomponenten, opto-elektronische apparaten, oppervlakte-akoestische golfapparaten, dunnefilmcircuits en vermogenselektronische apparaten.
De dubbelzijdige lithografiemachine- omvat een bewegingscontrolesysteem, een beeldverwerkingssysteem, systeemsoftware en een besturingseenheid voor gegevens-I/O-verwerking.
Enkel-zijdige lithografie met hoge precisie
Een lithografiemachine met hoge-precisie, ontwikkeld voor verschillende hogescholen, universiteiten, ondernemingen en onderzoeksinstellingen, op basis van de kenmerken van het gebruik van lithografiemachines. Het wordt gebruikt voor het onderzoek en de productie van kleine en middelgrote-geïntegreerde schakelingen, halfgeleidercomponenten, opto-elektronische apparaten en oppervlakte-akoestische golfapparaten.
Het bestaat uit een uitlijningswerktafel met hoge-precisie, een binoculair gescheiden CCD-microscopisch weergavesysteem, een belichtingskop, een pneumatisch systeem, een vacuümpijpleidingsysteem, een direct aangesloten olie-vrije vacuümpomp, een trillingsvrije werktafel en een doos met accessoires.
Los het probleem op van verkeerde uitlijning veroorzaakt door het onvermogen om de platen te scheiden als gevolg van niet-ronde substraten, fragmenten en oneffen substraatoppervlakken.
