Waferreiniging verwijst naar het proces waarbij chemische of fysische methoden worden gebruikt om verontreinigingen en oxiden van het oppervlak van een wafer te verwijderen tijdens de productie van geïntegreerde schakelingen, om te voldoen aan de reinheidseisen van het waferoppervlak. Het principe van wafelreiniging is het verwijderen van verschillende onzuiverheden zonder de wafel te beschadigen.
Er zijn vier hoofdmechanismen voor het verwijderen van deeltjes: oplossen, oxidatieve ontleding, elektrische afstoting tussen deeltjes en siliciumwafeloppervlakken, en lichte corrosie van siliciumwafeloppervlakken.
Voor het verwijderen van metaaldeeltjes wordt meestal een SC-2-oplossing of HPM-oplossing gebruikt om het metaalgehalte op het waferoppervlak te verminderen. De SC-2-oplossing ondergaat kristallisatie, waardoor het aantal deeltjes op het wafeloppervlak na reiniging kan toenemen. Daarom kan HF worden gebruikt in plaats van HCL, of kan O3 in combinatie met HF worden gebruikt in plaats van SC-2-oplossing om metaaldeeltjes effectief te verwijderen.
Voor organische verontreinigende stoffen wordt meestal gebruik gemaakt van SPM-oplossing of UV/ozon-stomerijtechnologie.
Na de natte reiniging moet de wafel grondig worden gedroogd om er zeker van te zijn dat er geen watervlekken op het oppervlak achterblijven voordat het volgende proces wordt gestart. De drie meest voorkomende droogmodi die momenteel beschikbaar zijn, zijn roterend drogen, Marangoni-drogen en heet isopropanol-verstuivingsdrogen.
