Productoverzicht
Onze koolstoffilmsputterapparatuur is een speciaal systeem dat is gebouwd voor het aanbrengen van koolstoffilmbeschermlagen bij hoge- temperaturen op SiC-apparaten. Het maakt gebruik van een clusterarchitectuur die kan worden geconfigureerd met meerdere proceskamers, en wordt geleverd met automatisch laden en lossen van wafers. Door DLC-filmtechnologie (diamant{3}}like carbon) toe te passen, voorkomt het effectief het krijten van het oppervlak op SiC-wafels tijdens het uitgloeien bij hoge- temperaturen, waardoor een stabiele en betrouwbare oppervlaktebescherming wordt geboden.
Voordelen
Het clusterontwerp ondersteunt meerdere proceskamers, waardoor flexibele schaling mogelijk is om aan verschillende batchgroottes te voldoen en de algehele productie-efficiëntie te vergroten.
Automatisch laden en lossen vermindert handmatige tussenkomst, verbetert de procesherhaalbaarheid en ondersteunt continue batchverwerking.
Het DLC-filmproces onderdrukt effectief het krijten van het SiC-wafeloppervlak, waardoor de oppervlaktekwaliteit behouden blijft en de prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat worden verbeterd.
De sputterkamer bereikt een ultiem vacuüm van minder dan of gelijk aan 6E-5Pa, en de uniformiteit van de filmdikte wordt binnen ±5% geregeld, waardoor consistente coatings van hoge kwaliteit worden gegarandeerd.
Compatibiliteit met 6-inch en 8-inch wafers maakt het systeem aanpasbaar aan verschillende productielijnen en procesvereisten.
Toepassingen
Deze apparatuur wordt voornamelijk gebruikt bij de vervaardiging van koolstoffilmbeschermlagen voor SiC-apparaten, vooral tijdens gloeiprocessen bij hoge -temperaturen. Het ondersteunt zowel 6-inch als 8-inch SiC-wafels, waardoor het geschikt is voor R&D en massaproductie van halfgeleiderapparaten van de derde generatie, zoals SiC-vermogensapparaten, RF-apparaten en andere op SiC gebaseerde elektronische componenten.
Veelgestelde vragen
Vraag: 1. Waarvoor wordt koolstoffilmsputterapparatuur gebruikt?
A: Het wordt gebruikt om koolstoffilmbeschermlagen bij hoge- temperaturen op SiC-apparaten aan te brengen, vooral tijdens het uitgloeien bij hoge- temperaturen om verkrijting van het oppervlak te voorkomen.
Vraag: 2. Wat zijn de belangrijkste voordelen van deze apparatuur?
A: Het beschikt over een clusterontwerp, automatisch laden/ontladen, DLC-filmtechnologie, hoge vacuümprestaties en goede dikte-uniformiteit.
Vraag: 3. Welke wafelformaten ondersteunt het?
A: Deze apparatuur ondersteunt SiC-wafels van 6 inch en 8 inch voor de productie van halfgeleiders en R&D.
Vraag: 4. Kan dit het krijten van het SiC-wafeloppervlak voorkomen?
A: Ja, het DLC-filmproces onderdrukt effectief het krijten tijdens het uitgloeien bij hoge- temperaturen en beschermt de wafelkwaliteit.
Vraag: 5. Hoe nauwkeurig is het coatingproces?
A: De sputterkamer bereikt een vacuüm van minder dan of gelijk aan 6E-5Pa en de uniformiteit van de filmdikte wordt binnen ± 5% geregeld.
Vraag: 6. Is het geschikt voor massaproductie?
A: Ja, de clusterstructuur en automatische verwerking maken het ideaal voor zowel R&D als grootschalige productie van SiC-apparaten op-schaal.
Vraag: 7. Waar wordt deze apparatuur vaak toegepast?
A: Het wordt veel gebruikt in halfgeleiders van de derde- generatie voor SiC-voedingsapparaten, RF-apparaten en gerelateerde elektronische componenten.
Populaire tags: koolstof magnetron sputtersysteem, China koolstof magnetron sputtersysteem fabrikanten, leveranciers
