Productoverzicht

De RTP-apparatuur voor hoge-oxidatie van ons bedrijf is een kernthermische apparatuur in de grootschalige-productie van halfgeleiders. Het is speciaal ontworpen om schone, dichte SiO₂-films op siliciumsubstraten te creëren, geschikt voor de productie van CMOS-, IGBT- en MEMS-apparaten.

Het 12--model RTP-apparatuur voor hoge- temperatuuroxidatie wordt over het algemeen gebruikt voor geavanceerde massaproductie van grote wafers, maar het 8-inch model is compatibel met een verscheidenheid aan oxidatiemethoden en voldoet volledig aan de reguliere massaproductiebehoeften. Dit is het fundamentele onderscheid tussen de twee apparaten.

Neem contact met ons op om de juiste machine voor uw behoeften te vinden.

Toepassingsindustrieën

Halfgeleiderproductie-industrie (geïntegreerde schakelingen, discrete apparaten, opto-elektronische apparaten, enz.)

Nieuwe energie-elektronica-industrie (gerelateerd aan vermogenshalfgeleiders)

Hoogwaardige-productie-industrie voor elektronische componenten

Halfgeleideronderzoek en proefproductieveld (universiteiten, onderzoeksinstellingen)

Toepassingsproducten

Kernhalfgeleiderapparaten: CMOS-chips, IGBT-vermogensapparaten, MEMS-micro-elektromechanische systemen, RF-apparaten, enz.
Eind-Gebruikersgerelateerde producten: kerncomponenten voor 5G-communicatieapparatuur, elektronische componenten voor auto's, chips voor consumentenelektronica, industriële besturingschips, enz.
Onderzoeksapparatuur: proefmonsters van procesverificatie van nieuwe halfgeleidermaterialen, geavanceerde R&D-prototypes voor apparaten, enz.

Voordelen

Nauwkeurige temperatuurregeling (± 0,5 graden), stabiel proces;

Schone kamer, betrouwbare membraankwaliteit;

Hoog-efficiënte batchproductie, flexibele aanpassing;

Flexibele maat-/procesaanpassing om aan verschillende massaproductiebehoeften te voldoen.

Parameters

Item	12-inch model	8-inch modellen
wafel formaat	12 inch	8 inch
Tabletbelasting	Groter dan of gelijk aan 125 stuks/boot	Aangepast aan de behoeften van de massaproductie van 8 inch
Temperatuurbereik	-	600-1150 graden
Nauwkeurigheid van de temperatuurregeling	±0,5 graad	Minder dan of gelijk aan ±0,5 graad
Lengte van constante temperatuurzone	Groter dan of gelijk aan 850 mm	300-860 mm
Uniformiteit van de filmdikte	WIW/WTW/RTR Minder dan of gelijk aan ±2%	WIW Minder dan of gelijk aan ±2%; WTW Minder dan of gelijk aan ±2%
Toepasbare processen	Voorbereiding van oxidefilm op siliciumsubstraat	Droge zuurstof (Si), natte zuurstof (snelle verdamping/waterbad/HO-ontsteking)

Veelgestelde vragen

Wat is het kerndoel van deze RTP-apparatuur voor hoge- oxidatie-oxidatie?

Voor het creëren van een schone en dichte SiO₂-film op siliciumsubstraten, geschikt voor het verwerken van sleutelstructuren in halfgeleiderapparaten.

Wat zijn de belangrijkste verschillen tussen de 12-inch en 8-inch modellen?

Het 12--model is in de eerste plaats bedoeld voor geavanceerde massaproductie van grote wafers, terwijl het 8-inch model compatibel is met verschillende oxidatieprocessen, waarmee aan de reguliere massaproductiebehoeften wordt voldaan.

Wat zijn de nauwkeurigheid en het bereik van de temperatuurregeling?

Temperatuurregeling is nauwkeurig tot ± 0,5 graden; het 8-inch model heeft een temperatuurbereik van 600-1150 graden en voldoet aan de behoeften van reguliere oxidatieprocessen.

Wat is de verwerkingscapaciteit voor één-batch?

Het 12--model kan meer dan 125 wafers per batch bevatten, terwijl het 8-inch model geschikt is voor massaproductie, waarbij de efficiëntie gelijke tred houdt met de eisen op grote schaal.

Welke halfgeleiderapparaten zijn geschikt?

CMOS, IGBT, MEMS, enz. kunnen allemaal worden gebruikt en dienen als isolatielagen, bufferlagen en andere sleutelstructuren.

Is de netheid van de kamer gegarandeerd?

Professionele materialen en een structureel ontwerp garanderen de zuiverheid van de filmvoorbereiding, vrij van onzuiverheden.

Populaire tags: RTP-apparatuur voor hoge-oxidatietemperatuur, China RTP-apparatuur voor hoge-temperatuuroxidatie, leveranciers, leveranciers